PMBFJ177

更新时间： 2024-11-27 22:27:35

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恩智浦 - NXP		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	38K
描述
P-channel silicon field-effect transistors

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PMBFJ177 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.1
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏源导通电阻：	300 Ω
FET 技术：	JUNCTION	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

PMBFJ174 to 177

P-channel silicon field-effect

transistors

April 1995

Product speciﬁcation

File under Discrete Semiconductors, SC07

12 3 4 5 6

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PMBFJ174,215	NXP	功能相似	P-channel FET TO-236 3-Pin
PMBFJ174	NXP	功能相似	P-channel silicon field-effect transistors

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PMBFJ177,215	NXP	获取价格	P-channel FET TO-236 3-Pin
PMBFJ177/DG,215	NXP	获取价格	P-channel FET TO-236 3-Pin
PMBFJ177-T	NXP	获取价格	TRANSISTOR 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FET Gener
PMBFJ177T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 1.5MA I(DSS) \| TO-236
PMBFJ177-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal
PMBFJ177-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal
PMBFJ177TRL	YAGEO	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET
PMBFJ177TRL13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal
PMBFJ177TRL13	YAGEO	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET
PMBFJ210	NXP	获取价格	N-channel field-effect transistors