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PMBFJ309-T

更新时间: 2024-11-26 12:59:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
12页 101K
描述
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FET RF Small Signal

PMBFJ309-T 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.18其他特性:LOW NOISE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:25 V
FET 技术:JUNCTION最大反馈电容 (Crss):2.5 pF
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

PMBFJ309-T 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PMBFJ308; PMBFJ309;  
PMBFJ310  
N-channel silicon field-effect  
transistors  
Product specification  
1996 Sep 11  
Supersedes data of April 1995  
File under Discrete Semiconductors, SC07  

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