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PMBFJ620,115

更新时间： 2024-11-01 19:45:47

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	235K
描述
PMBFJ620 - Dual N-channel FET TSSOP 6-Pin

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PMBFJ620,115 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSSOP	包装说明：	PLASTIC, SC-88, 6 PIN
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.74	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	25 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	2.5 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.19 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PMBFJ620,115 数据手册

PMBFJ620

Dual N-channel field-effect transistor

Rev. 3 — 6 March 2014

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Two N-channel symmetrical junction field-effect transistors in a SOT363 package.

CAUTION

This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling

electrostatic sensitive devices.

Such precautions are described in the ANSI/ESD S20.20, IEC/ST 61340-5, JESD625-A or

equivalent standards.

1.2 Features and benefits

 Two field effect transistors in a single package

 Low noise

 Interchangeability of drain and source connections

 High gain.

1.3 Applications

 AM input stage in car radios

 VHF amplifiers

 Oscillators and mixers.

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Per FET

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_DS

drain-source voltage

25

V_GSoff

gate-source cut-off

voltage

V_DS= 10 V; I_D= 1 A

2

6.5

I_DSS

P_tot

drain current

V_GS= 0 V; V_DS= 10 V

total power

dissipation

T_s 90 C

190

y_fs

forward transfer

admittance

V_DS= 10 V;

I_D= 10 mA

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PMBFJ620	NXP	功能相似	Dual N-channel field-effect transistor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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PMBS3904	NEXPERIA	获取价格	40 V, 100 mA NPN general-purpose transistorProduction
PMBS3904,215	NXP	获取价格	PMBS3904 - NPN general purpose transistor TO-236 3-Pin
PMBS3904,235	NXP	获取价格	PMBS3904 - NPN general purpose transistor TO-236 3-Pin
PMBS3904/L	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI
PMBS3904/T4	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI
PMBS3904-Q	NEXPERIA	获取价格	40 V, 100 mA NPN general-purpose transistorProduction
PMBS3904-T	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI
PMBS3904T/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI
PMBS3904-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa

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