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PMBS3906,215

更新时间: 2024-11-26 19:59:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 64K
描述
PMBS3906 - 40 V, 100 mA PNP general-purpose transistor TO-236 3-Pin

PMBS3906,215 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-236包装说明:PLASTIC PACKAGE-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:2.81最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:4.5 pF集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHz最大关闭时间(toff):700 ns
最大开启时间(吨):100 nsVCEsat-Max:0.4 V
Base Number Matches:1

PMBS3906,215 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PMBS3906  
PNP general purpose transistor  
Product data sheet  
2004 Feb 02  
Supersedes data of 1999 Apr 22  

PMBS3906,215 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PMBS3906,235 NXP

完全替代

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100mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3
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