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PMBT2222,235

更新时间: 2024-01-11 23:54:24
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 驱动开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 65K
描述
PMBT2222; PMBT2222A - NPN switching transistors TO-236 3-Pin

PMBT2222,235 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-236
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.18
其他特性:HIGH CURRENT DRIVER最大集电极电流 (IC):0.6 A
基于收集器的最大容量:8 pF集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHz最大关闭时间(toff):250 ns
最大开启时间(吨):35 nsVCEsat-Max:1.6 V
Base Number Matches:1

PMBT2222,235 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PMBT2222; PMBT2222A  
NPN switching transistors  
Product data sheet  
2004 Jan 22  
Supersedes data of 1999 Apr 27  

PMBT2222,235 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PMBT2222,215 NXP

完全替代

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