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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.12 | 其他特性： | HIGH CURRENT DRIVER |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 基于收集器的最大容量： | 8 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 250 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 35 ns | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBT2222AM | NEXPERIA |
获取价格 |
40 V, 600 mA NPN switching transistorProduction |
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| PMBT2222AMB | NEXPERIA |
获取价格 |
40 V, 600 mA NPN switching transistorProduction |
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| PMBT2222A-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN switching transistorProduction |
|
| PMBT2222AQA | NEXPERIA |
获取价格 |
40 V, 600 mA NPN switching transistorProduction |
|
| PMBT2222A-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, ROHS COMPLIANT, PLAST |
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| PMBT2222AT/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-23 |
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| PMBT2222ATRL | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| PMBT2222ATRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| PMBT2222AYS | NXP |
获取价格 |
SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| PMBT2222AYS | NEXPERIA |
获取价格 |
40 V, 600 mA, double NPN switching transistorProduction |
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