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PMBT2369/T4

更新时间: 2024-02-11 21:58:04
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 113K
描述
TRANSISTOR 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal

PMBT2369/T4 技术参数

生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.26
最大集电极电流 (IC):0.2 A集电极-发射极最大电压:15 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):500 MHz
最大关闭时间(toff):20 ns最大开启时间(吨):10 ns

PMBT2369/T4 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PMBT2369  
NPN switching transistor  
Product data sheet  
2004 Jan 22  
Supersedes data of 1999 Apr 27  

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