5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.07 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A |
| 基于收集器的最大容量： | 8 pF | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 365 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 40 ns | VCEsat-Max： | 1.6 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PMBT4403 | NEXPERIA |
类似代替  |
40 V, 600 mA, PNP switching transistorProduction |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBT2907A,215 | NXP |
获取价格 |
PMBT2907A - 60V, 600 mA, PNP switching transistor TO-236 3-Pin |
|
| PMBT2907A,235 | NXP |
获取价格 |
PMBT2907A - 60V, 600 mA, PNP switching transistor TO-236 3-Pin |
|
| PMBT2907A/AU,215 | NXP |
获取价格 |
PMBT2907A - 60V, 600 mA, PNP switching transistor TO-236 3-Pin |
|
| PMBT2907A/CU,215 | NXP |
获取价格 |
PMBT2907A - 60V, 600 mA, PNP switching transistor TO-236 3-Pin |
|
| PMBT2907A/DG,215 | NXP |
获取价格 |
PMBT2907A - 60V, 600 mA, PNP switching transistor TO-236 3-Pin |
|
| PMBT2907A/T1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR SOT-23 |
|
| PMBT2907A/T3 | NXP |
获取价格 |
600mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
| PMBT2907A/T4 | NXP |
获取价格 |
600mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
| PMBT2907AM | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 600 mA PNP switching transistorProduction |
|
| PMBT2907AMB | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 600 mA PNP switching transistorProduction |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
