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PMBT3904

更新时间: 2024-11-29 11:14:07
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 211K
描述
40 V, 200 mA NPN switching transistorProduction

PMBT3904 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.67
最大集电极电流 (IC):0.2 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN参考标准:IEC-60134
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):300 MHz
最大关闭时间(toff):250 ns最大开启时间(吨):70 ns
Base Number Matches:1

PMBT3904 数据手册

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PMBT3904  
40 V, 200 mA NPN switching transistor  
19 April 2023  
Product data sheet  
1. General description  
NPN switching transistor in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.  
PNP complement: PMBT3906  
2. Features and benefits  
Collector current capability IC = 200 mA  
Collector-emitter voltage VCEO = 40 V  
AEC-Q101 qualified  
3. Applications  
General switching and amplification  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VCEO  
collector-emitter  
voltage  
open base  
-
-
40  
V
IC  
collector current  
DC current gain  
-
-
-
200  
300  
mA  
hFE  
VCE = 1 V; IC = 10 mA  
[1]  
100  
[1] Pulsed test: tp ≤ 300 μs; δ ≤ 0.02  
5. Pinning information  
Table 2. Pinning information  
Pin  
1
Symbol  
Description  
base  
Simplified outline  
Graphic symbol  
3
B
E
C
C
2
emitter  
B
3
collector  
E
1
2
sym021  
SOT23  
 
 
 
 
 
 

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