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PMBT2907A/T3

更新时间: 2024-01-06 03:43:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 130K
描述
600mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3

PMBT2907A/T3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOT-23包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.11最大集电极电流 (IC):0.6 A
基于收集器的最大容量:8 pF集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):50
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
最大关闭时间(toff):365 ns最大开启时间(吨):40 ns
VCEsat-Max:1.6 VBase Number Matches:1

PMBT2907A/T3 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
PMBT2907; PMBT2907A  
PNP switching transistors  
Product data sheet  
2004 Jan 16  
Supersedes data of 1999 Apr 27  

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