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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.12 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 285 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 35 ns | VCEsat-Max： | 0.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBT2222ATRL | YAGEO |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| PMBT2222ATRL13 | YAGEO |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| PMBT2222AYS | NXP |
获取价格 |
SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| PMBT2222AYS | NEXPERIA |
获取价格 |
40 V, 600 mA, double NPN switching transistorProduction |
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| PMBT2222AYS-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
40 V, 600 mA, double NPN switching transistorProduction |
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| PMBT2222-T | NXP |
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TRANSISTOR 600 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, ROHS COMPLIANT, PLAST |
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| PMBT2222T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 600 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, ROHS COMPLIANT, PLAST |
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| PMBT2222TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 600 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| PMBT2222TRL | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| PMBT2222TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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