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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.1 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH CURRENT DRIVER | 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A |
| 基于收集器的最大容量： | 8 pF | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 250 ns | 最大开启时间（吨）： | 35 ns |
| VCEsat-Max： | 1.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBT2222TRL | NXP |
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TRANSISTOR 600 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| PMBT2222TRL | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| PMBT2222TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| PMBT2227AYS-Q | NEXPERIA |
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40 V, 600 mA, NPN/PNP double switching transistorProduction |
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| PMBT2369 | NXP |
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NPN switching transistor |
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| PMBT2369 | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN switching transistorProduction |
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| PMBT2369,215 | NXP |
获取价格 |
PMBT2369 - NPN switching transistor TO-236 3-Pin |
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| PMBT2369,235 | NXP |
获取价格 |
PMBT2369 - NPN switching transistor TO-236 3-Pin |
|
| PMBT2369/T4 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI |
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| PMBT2369215 | NXP |
获取价格 |
NPN switching transistor |
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