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PMBT2222A,215

更新时间： 2024-02-17 13:24:52

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		驱动开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	98K
描述
PMBT2222; PMBT2222A - NPN switching transistors TO-236 3-Pin

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PMBT2222A,215 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-236	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	2.82	其他特性：	HIGH CURRENT DRIVER
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	基于收集器的最大容量：	8 pF
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
最大关闭时间（toff）：	250 ns	最大开启时间（吨）：	35 ns
VCEsat-Max：	1 V	Base Number Matches：	1

PMBT2222A,215 数据手册

PMBT2222; PMBT2222A

NPN switching transistors

Rev. 6 — 12 November 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

NPN switching transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)

plastic package.

Table 1.

Product overview

Type number

Package

NXP

PNP complement

JEDEC

PMBT2222

SOT23

TO-236AB

PMBT2907

PMBT2222A

PMBT2907A

1.2 Features and benefits

High current (max. 600 mA)

Low voltage (max. 40 V)

1.3 Applications

Switching and linear amplification

1.4 Quick reference data

Table 2.

Symbol

V_CEO

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

collector-emitter voltage

PMBT2222

open base

PMBT2222A

I_C

collector current

DC current gain

600

300

[1]

h_FE

V_CE= 10 V;

I_C= 150 mA

100

PMBT2222

V_CE= 10 V;

I_C= 500 mA

PMBT2222A

V_CE= 10 V;

I_C= 500 mA

[1] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.

12 3 4 5 6 7...12

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