PMBFJ620

更新时间： 2024-10-31 21:54:51

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恩智浦 - NXP		晶体小信号场效应晶体管光电二极管放大器
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13页	67K
描述
Dual N-channel field-effect transistor

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PMBFJ620 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-88
包装说明：	PLASTIC, SC-88, 6 PIN	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：	25 V	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	2.5 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.19 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PMBFJ620 数据手册

PMBFJ620

Dual N-channel ﬁeld-effect transistor

Rev. 01 — 11 May 2004

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Two N-channel symmetrical junction ﬁeld-effect transistors in a SOT363 package.

CAUTION

This device is sensitive to electrostatic discharge (ESD). Therefore care should be taken

during transport and handling.

MSC895

1.2 Features

■ Two ﬁeld effect transistors in a single package

■ Low noise

■ Interchangeability of drain and source connections

■ High gain.

1.3 Applications

■ AM input stage in car radios

■ VHF ampliﬁers

■ Oscillators and mixers.

1.4 Quick reference data

Table 1:

Quick reference data

Symbol Parameter

Per FET

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_DS

drain-source voltage

±25

V_GSoff

gate-source cut-off

voltage

V_DS= 10 V; I_D= 1 µA

−2

−6.5

I_DSS

P_tot

drain current

V_GS= 0 V; V_DS= 10 V

total power

dissipation

T_s≤ 90 °C

190

y_fs

forward transfer

admittance

V_DS= 10 V;

I_D= 10 mA

12 3 4 5 6 7...13

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