PMBFJ620

更新时间： 2024-01-22 01:09:34

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恩智浦 - NXP		晶体小信号场效应晶体管光电二极管放大器
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13页	67K
描述
Dual N-channel field-effect transistor

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PMBFJ620 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
FET 技术：	JUNCTION	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.19 W
子类别：	FET General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

PMBFJ620 数据手册

PMBFJ620

Dual N-channel ﬁeld-effect transistor

Rev. 01 — 11 May 2004

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Two N-channel symmetrical junction ﬁeld-effect transistors in a SOT363 package.

CAUTION

This device is sensitive to electrostatic discharge (ESD). Therefore care should be taken

during transport and handling.

MSC895

1.2 Features

■ Two ﬁeld effect transistors in a single package

■ Low noise

■ Interchangeability of drain and source connections

■ High gain.

1.3 Applications

■ AM input stage in car radios

■ VHF ampliﬁers

■ Oscillators and mixers.

1.4 Quick reference data

Table 1:

Quick reference data

Symbol Parameter

Per FET

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_DS

drain-source voltage

±25

V_GSoff

gate-source cut-off

voltage

V_DS= 10 V; I_D= 1 µA

−2

−6.5

I_DSS

P_tot

drain current

V_GS= 0 V; V_DS= 10 V

total power

dissipation

T_s≤ 90 °C

190

y_fs

forward transfer

admittance

V_DS= 10 V;

I_D= 10 mA

12 3 4 5 6 7...13

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