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PMBS3906

更新时间: 2024-01-21 16:49:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 51K
描述
PNP general purpose transistor

PMBS3906 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.69Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHz最大关闭时间(toff):700 ns
最大开启时间(吨):100 nsBase Number Matches:1

PMBS3906 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
PMBS3906  
PNP general purpose transistor  
1999 Apr 22  
Product specification  
Supersedes data of 1997 May 20  

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