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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.22 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | FET 技术： | JUNCTION |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 2.5 pF | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PMBFJ310,215 | NXP |
完全替代  |
N-channel silicon FET TO-236 3-Pin |
|
| PMBFJ309,215 | NXP |
完全替代 |
N-channel silicon FET TO-236 3-Pin |
|
| MMBFJ310LT1 | ONSEMI |
类似代替 |
JFET VHF/UHF Amplifier Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBFJ310,215 | NXP |
获取价格 |
N-channel silicon FET TO-236 3-Pin |
|
| PMBFJ310T/R | PHILIPS |
获取价格 |
Transistor |
|
| PMBFJ310-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal |
|
| PMBFJ310-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal |
|
| PMBFJ310TRL | YAGEO |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon |
|
| PMBFJ310TRL13 | NXP |
获取价格 |
VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
|
| PMBFJ310TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon |
|
| PMBFJ620 | NXP |
获取价格 |
Dual N-channel field-effect transistor |
|
| PMBFJ620,115 | NXP |
获取价格 |
PMBFJ620 - Dual N-channel FET TSSOP 6-Pin |
|
| PMBS3904 | NXP |
获取价格 |
NPN general purpose transistor |
|
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