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PMBFJ309TRL13

更新时间: 2024-11-26 15:48:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 340K
描述
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal

PMBFJ309TRL13 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.18Is Samacsys:N
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:25 V
FET 技术:JUNCTION最大反馈电容 (Crss):2.5 pF
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

PMBFJ309TRL13 数据手册

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