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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 25 V |
| FET 技术： | JUNCTION | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBFJ210TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
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| PMBFJ211 | NXP |
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N-channel field-effect transistors |
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| PMBFJ211T/R | NXP |
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TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
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| PMBFJ211TRL | NXP |
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TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
|
| PMBFJ212 | NXP |
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N-channel field-effect transistors |
|
| PMBFJ212T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
|
| PMBFJ212TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
|
| PMBFJ308 | NXP |
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N-channel silicon field-effect transistors |
|
| PMBFJ308,215 | NXP |
获取价格 |
N-channel silicon FET TO-236 3-Pin |
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| PMBFJ308T/R | PHILIPS |
获取价格 |
Transistor |
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