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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBFJ212 | NXP |
获取价格 |
N-channel field-effect transistors |
|
| PMBFJ212T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
|
| PMBFJ212TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
|
| PMBFJ308 | NXP |
获取价格 |
N-channel silicon field-effect transistors |
|
| PMBFJ308,215 | NXP |
获取价格 |
N-channel silicon FET TO-236 3-Pin |
|
| PMBFJ308T/R | PHILIPS |
获取价格 |
Transistor |
|
| PMBFJ308-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal |
|
| PMBFJ308-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal |
|
| PMBFJ308TRL | YAGEO |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon |
|
| PMBFJ308TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal |
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