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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.18 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 25 V |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 2.5 pF |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBFJ308TRL | YAGEO |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon |
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| PMBFJ308TRL | NXP |
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TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal |
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| PMBFJ308TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal |
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| PMBFJ309 | NXP |
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N-channel silicon field-effect transistors |
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| PMBFJ309,215 | NXP |
获取价格 |
N-channel silicon FET TO-236 3-Pin |
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| PMBFJ309-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FE |
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| PMBFJ309T/R | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 12MA I(DSS) | TO-236 |
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| PMBFJ309TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal |
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| PMBFJ309TRL | YAGEO |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon |
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| PMBFJ309TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon |
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