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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.18 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | FET 技术： | JUNCTION |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 2.5 pF | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PMBFJ310,215 | NXP |
完全替代  |
N-channel silicon FET TO-236 3-Pin |
|
| PMBFJ309,215 | NXP |
完全替代 |
N-channel silicon FET TO-236 3-Pin |
|
| PMBFJ308,215 | NXP |
完全替代 |
N-channel silicon FET TO-236 3-Pin |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBFJ308,215 | NXP |
获取价格 |
N-channel silicon FET TO-236 3-Pin |
|
| PMBFJ308T/R | PHILIPS |
获取价格 |
Transistor |
|
| PMBFJ308-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal |
|
| PMBFJ308-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal |
|
| PMBFJ308TRL | YAGEO |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon |
|
| PMBFJ308TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal |
|
| PMBFJ308TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal |
|
| PMBFJ309 | NXP |
获取价格 |
N-channel silicon field-effect transistors |
|
| PMBFJ309,215 | NXP |
获取价格 |
N-channel silicon FET TO-236 3-Pin |
|
| PMBFJ309-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FE |
|
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