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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.13 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏源导通电阻： | 300 Ω | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBFJ210 | NXP |
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N-channel field-effect transistors |
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| PMBFJ210T/R | NXP |
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TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
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| PMBFJ210TRL | NXP |
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TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
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| PMBFJ210TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
|
| PMBFJ211 | NXP |
获取价格 |
N-channel field-effect transistors |
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| PMBFJ211T/R | NXP |
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TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
|
| PMBFJ211TRL | NXP |
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TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
|
| PMBFJ212 | NXP |
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N-channel field-effect transistors |
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| PMBFJ212T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
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| PMBFJ212TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
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