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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.13 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏源导通电阻： | 300 Ω | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBFJ177TRL | YAGEO |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET |
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| PMBFJ177TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
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| PMBFJ177TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET |
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| PMBFJ210 | NXP |
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N-channel field-effect transistors |
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| PMBFJ210T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
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| PMBFJ210TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
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| PMBFJ210TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
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| PMBFJ211 | NXP |
获取价格 |
N-channel field-effect transistors |
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| PMBFJ211T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
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| PMBFJ211TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
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