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PMBFJ176TRL

更新时间: 2024-11-26 13:02:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
130页 9375K
描述
30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET

PMBFJ176TRL 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.37Is Samacsys:N
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏源导通电阻:250 ΩFET 技术:JUNCTION
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

PMBFJ176TRL 数据手册

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RF Manual 16th edition  
Application and design manual  
for High Performance RF products  
June 2012  

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