是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.84 | 雪崩能效等级(Eas): | 170 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 150 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 17.9 A |
最大漏极电流 (ID): | 19 A | 最大漏源导通电阻: | 0.075 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-N8 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 62.5 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 76 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
PHM18NQ15T,518 | NXP |
功能相似 |
PHM18NQ15T |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PHM18NQ15T,518 | NXP |
获取价格 |
PHM18NQ15T | |
PHM1990-15 | ETC |
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Microwave/Millimeter Wave Amplifier | |
PHM21NQ15T | NXP |
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TrenchMOS standard level FET | |
PHM21NQ15T,518 | NXP |
获取价格 |
PHM21NQ15T | |
PHM25NQ10T | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS standard level FET | |
PHM30NQ10T | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS?? standard level FET | |
PHM5601 | NIEC |
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560A 150V | |
PHM5601_1 | NIEC |
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560A 150V | |
PHM8001 | NIEC |
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MOSFET MODULE Single 900A/150A | |
PHM8001_1 | NIEC |
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800A 150V |