5秒后页面跳转
PHM18NQ15T PDF预览

PHM18NQ15T

更新时间: 2024-11-19 21:53:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
12页 89K
描述
TrenchMOS standard level FET

PHM18NQ15T 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84雪崩能效等级(Eas):170 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:150 V最大漏极电流 (Abs) (ID):17.9 A
最大漏极电流 (ID):19 A最大漏源导通电阻:0.075 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-N8
元件数量:1端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):62.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):76 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

PHM18NQ15T 数据手册

 浏览型号PHM18NQ15T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PHM18NQ15T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PHM18NQ15T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PHM18NQ15T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PHM18NQ15T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PHM18NQ15T的Datasheet PDF文件第7页 
PHM18NQ15T  
TrenchMOS™ standard level FET  
Rev. 02 — 20 August 2004  
Product data  
M3D879  
1. Product profile  
1.1 Description  
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™ technology.  
1.2 Features  
SOT96 (SO-8) footprint compatible  
Surface mounted package  
Low thermal resistance  
Low profile.  
1.3 Applications  
DC-to-DC converter primary side  
Portable equipment applications.  
switch  
1.4 Quick reference data  
VDS 150 V  
Ptot 62.5 W  
ID 19 A  
RDSon 75 m.  
2. Pinning information  
Table 1:  
Pin  
Pinning - SOT685-1 (QLPAK), simplified outline and symbol  
Description  
source (s)  
gate (g)  
Simplified outline  
Symbol  
1,2,3  
4
1
4
d
5,6,7,8 drain (d)  
mb mounting base;  
connected to drain (d)  
mb  
g
mbb076  
s
8
5
Bottom view  
MBL585  
SOT685-1 (QLPAK)  
[1] Shaded area indicates pin 1 identifier.  

PHM18NQ15T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PHM18NQ15T,518 NXP

功能相似

PHM18NQ15T

与PHM18NQ15T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHM18NQ15T,518 NXP

获取价格

PHM18NQ15T
PHM1990-15 ETC

获取价格

Microwave/Millimeter Wave Amplifier
PHM21NQ15T NXP

获取价格

TrenchMOS standard level FET
PHM21NQ15T,518 NXP

获取价格

PHM21NQ15T
PHM25NQ10T NXP

获取价格

TrenchMOS standard level FET
PHM30NQ10T NXP

获取价格

TrenchMOS?? standard level FET
PHM5601 NIEC

获取价格

560A 150V
PHM5601_1 NIEC

获取价格

560A 150V
PHM8001 NIEC

获取价格

MOSFET MODULE Single 900A/150A
PHM8001_1 NIEC

获取价格

800A 150V