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PHM15NQ20T

更新时间： 2024-11-19 22:18:35

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TrenchMOS standard level FET

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PHM15NQ20T 数据手册

PHM15NQ20T

TrenchMOS™ standard level FET

Rev. 03 — 11 September 2003

Product data

M3D879

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS™ technology.

1.2 Features

■ SOT96 (SO-8) footprint compatible

■ Surface mounted package

■ Low thermal resistance

■ Low proﬁle.

1.3 Applications

■ DC-to-DC primary side

■ Portable appliances.

1.4 Quick reference data

■ V_DS≤ 200 V

■ P_tot≤ 62.5 W

■ I_D≤ 17.5 A

■ R_DSon≤ 80 mΩ.

2. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT685-1 (QLPAK), simpliﬁed outline and symbol

Description

source (s)

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

[1]

1,2,3

5,6,7,8 drain (d)

mb mounting base,

connected to drain (d)

MBB076

Bottom view

MBL585

SOT685-1 (QLPAK)

[1] Shaded area indicates pin 1 identiﬁer.

12 3 4 5 6 7...13

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