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PBSS4320X

更新时间： 2023-09-03 20:32:10
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安世 - NEXPERIA /
页数 文件大小 规格书
13页 264K
描述
20 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction

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PBSS4320X 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-89
包装说明：PLASTIC, SC-62, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.38外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：220
JEDEC-95代码：TO-243AAJESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1.6 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

PBSS4320X 数据手册

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PBSS4320X  
20 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor  
27 May 2019  
Product data sheet  
1. General description  
NPN low VCEsat transistor in a medium power flat lead SOT89 plastic package.  
PNP complement: PBSS5320X  
2. Features and benefits  
•
SOT89 (SC-62) package  
•
•
•
•
•
Low collector-emitter saturation voltage VCEsat  
High collector current capability: IC and ICM  
Higher efficiency leading to less heat generation  
Reduced printed-circuit board requirements.  
AEC-Q101 qualified  
3. Applications  
•
Power management  
•
•
•
•
DC/DC converters  
Supply line switching  
Battery charger  
LCD backlighting.  
•
Peripheral drivers  
•
•
Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs).  
Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors).  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VCEO  
collector-emitter  
voltage  
open base  
-
-
20  
V
IC  
collector current  
[1]  
[2]  
-
-
3
A
A
ICM  
peak collector current single pulse; tp ≤ 1 ms  
-
-
5
hFE  
RCEsat  
DC current gain  
VCE = 2 V; IC = 0.1 A  
IC = 3 A; IB = 300 mA  
220  
-
-
-
collector-emitter  
85  
105  
mΩ  
saturation resistance  
[1] Device mounted on a ceramic printed-circuit board 7 cm2, single-sided copper, tin-plated.  
[2] Pulsed test: tp ≤ 300 μs; δ ≤ 0.02  
 
 
 
 
 
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PBSS4320X 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PBSS4320X,135 NXP

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