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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SC-74 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.16 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4350D | NEXPERIA |
功能相似  |
50 V low VCEsat NPN transistorProduction |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4350D-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V low VCEsat NPN transistorProduction |
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| PBSS4350DT/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, TSOP, SMT6, SSOT6, SM |
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| PBSS4350S | NXP |
获取价格 |
50 V low VCEsat NPN transistor |
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| PBSS4350S,126 | NXP |
获取价格 |
PBSS4350S |
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| PBSS4350SA | ETC |
获取价格 |
50 V low VCEsat NPN transistor |
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| PBSS4350SPN | NXP |
获取价格 |
50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4350SPN,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS4350SPN - 50 V, 2.7 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor SOIC 8-Pin |
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| PBSS4350SS | NXP |
获取价格 |
50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4350SS,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS4350SS - 50 V, 2.7 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor SOIC 8-Pin |
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| PBSS4350SS.115 | NXP |
获取价格 |
NPN/NPN double low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power |
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