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PBSS4350T,215

更新时间: 2024-11-18 15:47:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP PC开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 95K
描述
PBSS4350T - 50 V; 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin

PBSS4350T,215 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-236包装说明:PLASTIC PACKAGE-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.22
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):300JEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):1.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

PBSS4350T,215 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PBSS4350T  
50 V; 3 A NPN low VCEsat  
(BISS) transistor  
Product data sheet  
2004 Jan 09  
Supersedes data of 2002 Aug 08  

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