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PBSS4350X

更新时间: 2023-09-03 20:33:18
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安世 - NEXPERIA 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 273K
描述
50 V, 3 A NPN low VCEsat transistorProduction

PBSS4350X 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-89
包装说明:PLASTIC, SC-62, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.36外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):300
JEDEC-95代码:TO-243AAJESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1.6 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHz

PBSS4350X 数据手册

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PBSS4350X  
50 V, 3 A NPN low VCEsat transistor  
16 May 2022  
Product data sheet  
1. General description  
NPN low VCEsat transistor in a SOT89 plastic package.  
PNP complement: PBSS5350X  
2. Features and benefits  
SOT89 (SC-62) package  
Low collector-emitter saturation voltage VCEsat  
High collector current capability: IC and ICM  
Higher efficiency leading to less heat generation  
Reduced printed-circuit board requirements  
AEC-Q101 qualified  
3. Applications  
Power management  
DC/DC converters  
Supply line switching  
Battery charger  
LCD backlighting  
Peripheral drivers  
Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)  
Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors)  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
VCBO  
IC  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
50  
3
Unit  
V
collector-base voltage open emitter  
collector current  
-
-
-
-
-
-
A
ICM  
peak collector current limited by Tj(max)  
-
5
A
RCEsat  
collector-emitter  
saturation resistance  
IC = 2 A; IB = 200 mA; pulsed; tp ≤  
300 µs; δ ≤ 0.02; Tamb = 25 °C  
100  
130  
mΩ  
 
 
 
 

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