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PBSS4350X PDF预览

PBSS4350X

更新时间： 2024-11-19 11:13:31
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 273K
描述
50 V, 3 A NPN low VCEsat transistorProduction

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PBSS4350X 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.65
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：300JEDEC-95代码：TO-243AA
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

PBSS4350X 数据手册

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PBSS4350X  
50 V, 3 A NPN low VCEsat transistor  
16 May 2022  
Product data sheet  
1. General description  
NPN low VCEsat transistor in a SOT89 plastic package.  
PNP complement: PBSS5350X  
2. Features and benefits  
•
SOT89 (SC-62) package  
•
•
•
•
•
Low collector-emitter saturation voltage VCEsat  
High collector current capability: IC and ICM  
Higher efficiency leading to less heat generation  
Reduced printed-circuit board requirements  
AEC-Q101 qualified  
3. Applications  
•
Power management  
•
•
•
•
DC/DC converters  
Supply line switching  
Battery charger  
LCD backlighting  
•
Peripheral drivers  
•
•
Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)  
Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors)  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
VCBO  
IC  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
50  
3
Unit  
V
collector-base voltage open emitter  
collector current  
-
-
-
-
-
-
A
ICM  
peak collector current limited by Tj(max)  
-
5
A
RCEsat  
collector-emitter  
saturation resistance  
IC = 2 A; IB = 200 mA; pulsed; tp ≤  
300 µs; δ ≤ 0.02; Tamb = 25 °C  
100  
130  
mΩ  
 
 
 
 
1234567...12

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