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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.27 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2.7 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e4 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN AND PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.55 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 520 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 104 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4350SPN,115 | NXP |
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PBSS4350SPN - 50 V, 2.7 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor SOIC 8-Pin |
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| PBSS4350SS | NXP |
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50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4350SS,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS4350SS - 50 V, 2.7 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor SOIC 8-Pin |
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| PBSS4350SS.115 | NXP |
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NPN/NPN double low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power |
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| PBSS4350T | NXP |
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50 V; 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4350T | NEXPERIA |
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50 V; 3 A NPN low VCEsat transistorProduction |
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| PBSS4350T | FOSHAN |
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SOT-23 |
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| PBSS4350T,215 | NXP |
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PBSS4350T - 50 V; 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
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| PBSS4350T-Q | NEXPERIA |
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50 V; 3 A NPN low VCEsat transistorProduction |
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| PBSS4350X | NEXPERIA |
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50 V, 3 A NPN low VCEsat transistorProduction |
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