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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.13 | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 300 | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2655-O-AE3-R | UTC |
功能相似  |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 |
|
| PBSS4350T,215 | NXP |
功能相似 |
PBSS4350T - 50 V; 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
|
| 2SC2655 | UTC |
功能相似 |
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4350T,215 | NXP |
获取价格 |
PBSS4350T - 50 V; 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
|
| PBSS4350T-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V; 3 A NPN low VCEsat transistorProduction |
|
| PBSS4350X | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 3 A NPN low VCEsat transistorProduction |
|
| PBSS4350X | NXP |
获取价格 |
Low VCEsat (BISS) transistors |
|
| PBSS4350X | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-89 |
|
| PBSS4350X | FOSHAN |
获取价格 |
SOT-89 |
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| PBSS4350X,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS4350X - 50 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin |
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| PBSS4350X,120 | NXP |
获取价格 |
PBSS4350X - 50 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin |
|
| PBSS4350X,135 | NXP |
获取价格 |
PBSS4350X - 50 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin |
|
| PBSS4350X,146 | NXP |
获取价格 |
PBSS4350X - 50 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin |
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