5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.58 | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.83 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4350SA | ETC |
获取价格 |
50 V low VCEsat NPN transistor |
|
| PBSS4350SPN | NXP |
获取价格 |
50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
|
| PBSS4350SPN,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS4350SPN - 50 V, 2.7 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor SOIC 8-Pin |
|
| PBSS4350SS | NXP |
获取价格 |
50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
|
| PBSS4350SS,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS4350SS - 50 V, 2.7 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor SOIC 8-Pin |
|
| PBSS4350SS.115 | NXP |
获取价格 |
NPN/NPN double low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power |
|
| PBSS4350T | NXP |
获取价格 |
50 V; 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
|
| PBSS4350T | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V; 3 A NPN low VCEsat transistorProduction |
|
| PBSS4350T | FOSHAN |
获取价格 |
SOT-23 |
|
| PBSS4350T,215 | NXP |
获取价格 |
PBSS4350T - 50 V; 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
