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PBSS4360ZX

更新时间： 2024-02-16 10:38:58

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14页	710K
描述
TRANS NPN 60V 3A

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PBSS4360ZX 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-73
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	2.14
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	145 MHz
Base Number Matches：	1

PBSS4360ZX 数据手册

PBSS4360Z

60 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

26 February 2014

Product data sheet

1. General description

NPN low V_CEsatBreakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power

SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

PNP complement: PBSS5360Z.

2. Features and benefits

Low collector-emitter saturation voltage V_CEsat

High collector current capability I_Cand I_CM

High energy efficiency due to less heat generation

AEC-Q101 qualified

•

3. Applications

DC-to-DC conversion

Supply line switching

Battery charger

LCD backlighting

Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)

Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors)

•

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_CEO

collector-emitter

voltage

open base

I_C

collector current

I_CM

peak collector current t_p≤ 1 ms; single pulse

R_CEsat

collector-emitter

I_C= 2 A; I_B= 200 mA; pulsed;

t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02; T_amb= 25 °C

140

mΩ

saturation resistance

12 3 4 5 6 7...14

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