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PBSS4330X,135 PDF预览

PBSS4330X,135

更新时间: 2024-02-04 15:16:16
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 110K
描述
PBSS4330X - 30 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin

PBSS4330X,135 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOT-89
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.39Samacsys Description:Bipolar Transistors - BJT TRANS BISS TAPE-11
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):300JEDEC-95代码:TO-243AA
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz

PBSS4330X,135 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
PBSS4330X  
30 V, 3 A  
NPN low VCEsat (BISS) transistor  
Product data sheet  
2004 Dec 06  
Supersedes data of 2003 Nov 28  

PBSS4330X,135 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PBSS4330X,115 NXP

完全替代

PBSS4330X - 30 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin
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