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PBSS4350D,115

更新时间: 2024-01-21 11:46:20
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恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 90K
描述
PBSS4350D - 50 V low VCEsat NPN transistor TSOP 6-Pin

PBSS4350D,115 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TSOP包装说明:PLASTIC, TSOP, SMT6, SSOT6, SMD, SC-74, 6 PIN
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.23
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):200JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:6
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.75 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

PBSS4350D,115 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
age  
PBSS4350D  
50 V low VCEsat NPN transistor  
Product data sheet  
2001 Jul 13  
Supersedes data of 2001 Jan 26  

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