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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 180 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-N3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 210 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 270 ns | 最大开启时间（吨）： | 63 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4330PA,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS4330PA - 30 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor DFN 3-Pin |
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| PBSS4330PAS | NEXPERIA |
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30 V, 3 A NPN low VCEsat transistorProduction |
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| PBSS4330PAS | NXP |
获取价格 |
SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| PBSS4330PAS-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, 3 A NPN low VCEsat transistorProduction |
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| PBSS4330X | NXP |
获取价格 |
30 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4330X | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4330X,115 | NXP |
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PBSS4330X - 30 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin |
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| PBSS4330X,135 | NXP |
获取价格 |
PBSS4330X - 30 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin |
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| PBSS4350 | NXP |
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NPN transistor |
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| PBSS4350D | NXP |
获取价格 |
NPN transistor |
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