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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SC-74 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.18 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN AND PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.6 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4140DPN | NEXPERIA |
功能相似  |
40 V low VCEsat NPN/PNP transistorProduction |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4140S | NXP |
获取价格 |
40 V low VCEsat NPN transistor |
|
| PBSS4140S | FOSHAN |
获取价格 |
TO-92 |
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| PBSS4140S,126 | NXP |
获取价格 |
PBSS4140S |
|
| PBSS4140SAMO | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43, 3 |
|
| PBSS4140SH | PANJIT |
获取价格 |
SOT-89 |
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| PBSS4140SW | PANJIT |
获取价格 |
SOT-223 |
|
| PBSS4140T | NXP |
获取价格 |
40 V, 1A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
|
| PBSS4140T | SEMTECH |
获取价格 |
30 V Low VCE(sat) NPN Transistor |
|
| PBSS4140T | NEXPERIA |
获取价格 |
40 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
|
| PBSS4140T | FOSHAN |
获取价格 |
SOT-23 |
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