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NVMFS6B14NLWFT1G

更新时间： 2024-09-15 01:04:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 85K
描述
Power MOSFET

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NVMFS6B14NLWFT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5Reach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：29 weeks风险等级：1.49
雪崩能效等级（Eas）：29 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏源导通电阻：0.019 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NVMFS6B14NLWFT1G 数据手册

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NVMFS6B14NL  
Power MOSFET  
100 V, 13 mW, 55 A, Single N−Channel  
Features  
• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
• Low Q and Capacitance to Minimize Driver Losses  
DS(on)  
www.onsemi.com  
G
• NVMFS6B14NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical  
Inspection  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
13 mW @ 10 V  
19 mW @ 4.5 V  
100 V  
55 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
100  
16  
Unit  
V
D (5,6)  
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
Continuous Drain Cur-  
V
GS  
V
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
D
55  
A
C
rent R  
(Notes 1, 3)  
q
JC  
T
C
39  
Steady  
State  
G (4)  
Power Dissipation R  
(Note 1)  
T
C
P
D
94  
W
A
q
JC  
T
C
= 100°C  
47  
S (1,2,3)  
N−CHANNEL MOSFET  
Continuous Drain Cur-  
rent R (Notes 1, 2, 3)  
T = 25°C  
A
I
D
11  
q
JA  
T = 100°C  
A
8.0  
3.8  
1.9  
140  
Steady  
State  
Power Dissipation R  
(Notes 1 & 2)  
T = 25°C  
A
P
D
W
q
JA  
MARKING  
DIAGRAM  
T = 100°C  
A
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
A
I
DM  
A
p
D
1
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
+ 175  
°C  
J
stg  
S
S
S
G
D
D
XXXXXX  
AYWZZ  
DFN5  
(SO−8FL)  
CASE 488AA  
STYLE 1  
Source Current (Body Diode)  
I
S
60  
29  
A
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
mJ  
D
Energy (I  
= 24 A)  
L(pk)  
XXXXXX = 6B14NL  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
(NVMFS6B14NL) or  
6B14LW  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
(NVMFS6B14NLWF)  
= Assembly Location  
= Year  
A
Y
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
W
ZZ  
= Work Week  
= Lot Traceability  
Parameter  
Symbol  
Value  
1.6  
Unit  
Junction−to−Case − Steady State  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
R
°C/W  
q
JC  
JA  
R
40  
ORDERING INFORMATION  
q
See detailed ordering, marking and shipping information on  
page 5 of this data sheet.  
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
2. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
2
3. Maximum current for pulses as long as 1 second is higher but is dependent  
on pulse duration and duty cycle.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
January, 2016 − Rev. 1  
NVMFS6B14NL/D  
 
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NVMFS6B14NLWFT1G 替代型号

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