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NTMFSS1D1N06CLT1G PDF预览

NTMFSS1D1N06CLT1G

更新时间： 2024-11-09 20:51:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 103K
描述
Power Field-Effect Transistor

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NTMFSS1D1N06CLT1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SO-8FL, DFN-8Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.72雪崩能效等级（Eas）：776 mJ
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：287 A
最大漏极电流 (ID)：40 A最大漏源导通电阻：0.0017 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-N3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：200 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：900 A
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTMFSS1D1N06CLT1G 数据手册

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NTMFSS1D1N06CL  
Product Preview  
Power MOSFET  
60 V, 1.2 mW, 287 A, Single N−Channel,  
Source−Down SO8−FL  
Features  
www.onsemi.com  
• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Q and Capacitance to Minimize Driver Losses  
G
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
• These Devices are Pb−Free, Halogen−Free / BFR Free and are RoHS  
1.2 mW @ 10 V  
1.7 mW @ 4.5 V  
Compliant  
60 V  
287 A  
Typical Applications  
• DC−DC Converters  
• Power Load Switch  
• Notebook Battery Management  
• Synchronous Rectifier  
D (2,3,4)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
G (1)  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
V
DSS  
S (5)  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
20  
V
N−CHANNEL MOSFET  
Continuous Drain  
T
T
= 25°C  
= 25°C  
I
287  
A
C
D
Current R  
(Note 2)  
q
JC  
Steady  
State  
Power Dissipation  
(Note 2)  
P
200  
40  
W
A
C
D
MARKING  
DIAGRAM  
R
q
JC  
Continuous Drain Cur-  
rent R (Notes 1, 2)  
T = 25°C  
A
I
D
G
D
D
D
S
S
1
q
JA  
Steady  
State  
XXXXXX  
AYWZZ  
DFN8 5x6  
CASE 506EB  
Power Dissipation  
(Notes 1, 2)  
T = 25°C  
A
P
3.9  
900  
W
D
R
q
JA  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
A
A
p
XXXXXX = Specific Device Code  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
Operating Junction and Storage Temperature  
Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
W
ZZ  
= Work Week  
= Lot Traceability  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
776  
260  
mJ  
AS  
Energy (I  
= TBD A, L = TBD mH)  
L(pk)  
Lead Temperature Soldering Reflow for Solder-  
ing Purposes (1/8″ from case for 10 s)  
T
°C  
L
ORDERING INFORMATION  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
†
Device  
Package  
Shipping  
NTMFSS1D1N06CLT1G SO−8FL  
(Pb−Free)  
1500 / Tape  
& Reel  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Value  
0.75  
39  
Unit  
NTMFSS1D1N06CLT3G SO−8FL  
(Pb−Free)  
5000 / Tape  
& Reel  
Junction−to−Case − Steady State (Note 2)  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
R
°C/W  
q
JC  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
R
q
JA  
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
2. Surface−mounted on FR4 board using a 1 in pad size, 2 oz. Cu pad.  
2
This document contains information on a product under development. ON Semiconductor  
reserves the right to change or discontinue this product without notice.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2018  
1
Publication Order Number:  
September, 2018 − Rev. P0  
NTMFSS1D1N06CL/D  
 
1234

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与NTMFSS1D1N06CLT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTMFSS1D1N06CLT3G ONSEMI

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 		Power Field-Effect Transistor
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