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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.77 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 733 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 28 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A | 最大漏极电流 (ID)： | 60 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0075 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTD60N03T4 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 60 Amps, 28 Volts |
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| NTD6414AN | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 100 V, 32 A, 37 mΩ |
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| NTD6414AN-1G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 100 V, 32 A, 37 mΩ |
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| NTD6414ANT4G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 100 V, 32 A, 37 mΩ |
|
| NTD6415AN | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 55 mΩ |
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| NTD6415AN-1G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 55 mΩ |
|
| NTD6415ANL | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 56 mΩ, L |
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| NTD6415ANLT4G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 56 mΩ, L |
|
| NTD6415ANT4G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 55 mΩ |
|
| NTD6416AN | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 100 V, 17 A, 81 m |
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