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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD6414ANT4G
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NTD6414ANT4G

更新时间： 2024-09-14 06:00:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲PC
页数 文件大小 规格书
7页 134K
描述
N-Channel Power MOSFET 100 V, 32 A, 37 mΩ

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NTD6414ANT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：0.91Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：412998
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：DPAK (SINGLE GUAGE) CASE 369AA?01 ISSUE B_1
Samacsys Released Date：2019-07-24 23:13:05Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：154 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：32 A最大漏极电流 (ID)：32 A
最大漏源导通电阻：0.037 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：117 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTD6414ANT4G 数据手册

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NTD6414AN  
N-Channel Power MOSFET  
100 V, 32 A, 37 mW  
Features  
• Low R  
DS(on)  
• High Current Capability  
• 100% Avalanche Tested  
http://onsemi.com  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
I
D
MAX  
Compliant  
V
R
MAX  
DS(on)  
(Note 1)  
(BR)DSS  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
100 V  
37 mW @ 10 V  
32 A  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Symbol  
Value  
100  
$20  
32  
Unit  
V
V
DSS  
N−Channel  
V
GS  
V
D
Continuous Drain  
Current R  
Steady  
State  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
D
A
C
q
JC  
T
C
22  
Power Dissipation  
R
Steady  
State  
T
C
P
D
100  
W
q
JC  
G
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
117  
A
DM  
S
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
Source Current (Body Diode)  
I
S
32  
A
4
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
154  
mJ  
4
Energy (V = 50 Vdc, V = 10 Vdc,  
DD  
GS  
I
= 32 A, L = 0.3 mH, R = 25 W)  
L(pk)  
G
1
2
1
Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from Case for 10 Seconds  
T
L
260  
°C  
2
3
3
DPAK  
IPAK  
CASE 369AA  
STYLE 2  
CASE 369D  
STYLE 2  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Max  
1.5  
37  
Unit  
Junction−to−Case (Drain) Steady State  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
R
°C/W  
q
JC  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENTS  
R
q
JA  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 sq in pad size,  
4 Drain  
4 Drain  
(Cu Area 1.127 sq in [1 oz] including traces).  
1
Gate  
3
2
Source  
1
3
Drain  
Gate  
Source  
2
Drain  
6414AN = Device Code  
Y
= Year  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
November, 2009 − Rev. 0  
NTD6414AN/D  
 
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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