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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD6415AN-1G
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NTD6415AN-1G

更新时间： 2024-09-14 06:00:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 135K
描述
N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 55 mΩ

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NTD6415AN-1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.69
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：79 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：23 A
最大漏源导通电阻：0.055 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：89 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD6415AN-1G 数据手册

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NTD6415AN  
N-Channel Power MOSFET  
100 V, 23 A, 55 mW  
Features  
• Low R  
DS(on)  
• High Current Capability  
http://onsemi.com  
• 100% Avalanche Tested  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
I
MAX  
D
V
R
MAX  
DS(on)  
(Note 1)  
(BR)DSS  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Symbol  
Value  
100  
$20  
23  
Unit  
V
100 V  
55 mW @ 10 V  
23 A  
V
DSS  
V
GS  
V
N−Channel  
Continuous Drain  
Current R  
Steady  
State  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
D
A
C
D
q
JC  
T
C
16  
Power Dissipation  
R
Steady  
State  
T
C
P
D
83  
W
q
JC  
G
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
89  
A
DM  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
S
Source Current (Body Diode)  
I
23  
79  
A
S
4
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
mJ  
Energy (V = 50 Vdc, V = 10 Vdc, I =  
DD  
GS  
L(pk)  
23 A, L = 0.3 mH, R = 25 W)  
4
G
Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from Case for 10 Seconds  
T
L
260  
°C  
1
2
1
2
3
3
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
DPAK  
CASE 369AA  
STYLE 2  
IPAK  
CASE 369D  
STYLE 2  
Symbol  
Max  
1.8  
39  
Unit  
Junction−to−Case (Drain) Steady State  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
R
°C/W  
q
JC  
R
q
JA  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENTS  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 sq in pad size,  
4 Drain  
4 Drain  
(Cu Area 1.127 sq in [2 oz] including traces).  
1
Gate  
3
2
Source  
1
3
Drain  
Gate  
Source  
2
Drain  
6415AN = Device Code  
Y
= Year  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
November, 2009 − Rev. 0  
NTD6415AN/D  
 
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTD6415ANL ONSEMI

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 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 56 mΩ, L
NTD6415ANLT4G ONSEMI

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 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 56 mΩ, L
NTD6415ANT4G ONSEMI

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 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 55 mΩ
NTD6416AN ONSEMI

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 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 17 A, 81 m
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 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 19 A, 74 mΩ
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 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 19 A, 74 mΩ
NTD6416ANT4G ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 17 A, 81 m
NTD65N03R ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK

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