5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NTD6416ANLT4G
NTD6416ANLT4G PDF预览

NTD6416ANLT4G

更新时间： 2024-02-18 08:00:00
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 136K
描述
N-Channel Power MOSFET 100 V, 19 A, 74 mΩ

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTD6416ANLT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：DPAK-4针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.49
雪崩能效等级（Eas）：50 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：19 A最大漏极电流 (ID)：19 A
最大漏源导通电阻：0.074 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：71 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：70 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD6416ANLT4G 数据手册

 浏览型号NTD6416ANLT4G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTD6416ANLT4G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTD6416ANLT4G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTD6416ANLT4G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTD6416ANLT4G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NTD6416ANLT4G的Datasheet PDF文件第7页 
NTD6416ANL  
N-Channel Power MOSFET  
100 V, 19 A, 74 mW  
Features  
• Low R  
DS(on)  
• High Current Capability  
• 100% Avalanche Tested  
• These are Pb−Free Devices  
http://onsemi.com  
V
R
DS(on)  
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Symbol  
Value  
100  
$20  
19  
Unit  
V
100 V  
74 mW @ 10 V  
19 A  
V
DSS  
V
V
GS  
D
Continuous Drain  
Current  
Steady  
State  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
D
A
C
T
C
13  
Power Dissipation  
Steady  
State  
T
C
P
71  
W
D
G
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
I
70  
A
p
DM  
S
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55 to  
+175  
°C  
stg  
4
Source Current (Body Diode)  
I
19  
50  
A
4
S
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
mJ  
AS  
Energy (V = 50 Vdc, V = 10 Vdc, I =  
DD  
GS  
L(pk)  
2
1
1
18.2 A, L = 0.3 mH, R = 25 W)  
G
3
2
3
Lead Temperature for Soldering  
T
260  
°C  
L
DPAK  
CASE 369AA  
STYLE 2  
IPAK  
CASE 369D  
STYLE 2  
Purposes, 1/8″ from Case for 10 Seconds  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Max  
2.1  
47  
Unit  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENTS  
Junction−to−Case (Drain) − Steady State  
R
q
°C/W  
JC  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
R
q
JA  
4 Drain  
4 Drain  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 sq in pad size,  
(Cu Area 1.127 sq in [2 oz] including traces).  
1
Gate  
3
2
Source  
1
3
Drain  
Gate  
Source  
2
Drain  
6416ANL = Device Code  
Y
= Year  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
October, 2009 − Rev. 0  
NTD6416ANL/D  
 
1234567

中文翻译

下载PDF

NTD6416ANLT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD6N95K5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 950 V, 1 Ω typ., 9 A Zener-protect
STD15NF10T4 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 100V - 0.060ohm- 23A - DPAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET
STD35NF06LT4 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 35A DPAK STripFET⑩

与NTD6416ANLT4G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTD6416ANT4G ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 17 A, 81 m
NTD65N03R ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK
NTD65N03R-001 ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR 32 A, 25 V, 0.0146 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3, FET
NTD65N03R-1 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK
NTD65N03R-1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK
NTD65N03R-35 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK
NTD65N03R-35G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK
NTD65N03RG ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK
NTD65N03RT4 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK
NTD65N03RT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK

与NTD6416ANLT4G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证