5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD6414AN-1G
NTD6414AN-1G PDF预览

NTD6414AN-1G

更新时间： 2024-11-21 06:00:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 134K
描述
N-Channel Power MOSFET 100 V, 32 A, 37 mΩ

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTD6414AN-1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：IPAK-3针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.3Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：154 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：32 A最大漏极电流 (ID)：32 A
最大漏源导通电阻：0.037 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：117 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD6414AN-1G 数据手册

 浏览型号NTD6414AN-1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTD6414AN-1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTD6414AN-1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTD6414AN-1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTD6414AN-1G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NTD6414AN-1G的Datasheet PDF文件第7页 
NTD6414AN  
N-Channel Power MOSFET  
100 V, 32 A, 37 mW  
Features  
• Low R  
DS(on)  
• High Current Capability  
• 100% Avalanche Tested  
http://onsemi.com  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
I
D
MAX  
Compliant  
V
R
MAX  
DS(on)  
(Note 1)  
(BR)DSS  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
100 V  
37 mW @ 10 V  
32 A  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Symbol  
Value  
100  
$20  
32  
Unit  
V
V
DSS  
N−Channel  
V
GS  
V
D
Continuous Drain  
Current R  
Steady  
State  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
D
A
C
q
JC  
T
C
22  
Power Dissipation  
R
Steady  
State  
T
C
P
D
100  
W
q
JC  
G
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
117  
A
DM  
S
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
Source Current (Body Diode)  
I
S
32  
A
4
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
154  
mJ  
4
Energy (V = 50 Vdc, V = 10 Vdc,  
DD  
GS  
I
= 32 A, L = 0.3 mH, R = 25 W)  
L(pk)  
G
1
2
1
Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from Case for 10 Seconds  
T
L
260  
°C  
2
3
3
DPAK  
IPAK  
CASE 369AA  
STYLE 2  
CASE 369D  
STYLE 2  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Max  
1.5  
37  
Unit  
Junction−to−Case (Drain) Steady State  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
R
°C/W  
q
JC  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENTS  
R
q
JA  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 sq in pad size,  
4 Drain  
4 Drain  
(Cu Area 1.127 sq in [1 oz] including traces).  
1
Gate  
3
2
Source  
1
3
Drain  
Gate  
Source  
2
Drain  
6414AN = Device Code  
Y
= Year  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
November, 2009 − Rev. 0  
NTD6414AN/D  
 
1234567

中文翻译

下载PDF

与NTD6414AN-1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTD6414ANT4G ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 32 A, 37 mΩ
NTD6415AN ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 55 mΩ
NTD6415AN-1G ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 55 mΩ
NTD6415ANL ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 56 mΩ, L
NTD6415ANLT4G ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 56 mΩ, L
NTD6415ANT4G ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 55 mΩ
NTD6416AN ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 17 A, 81 m
NTD6416AN-1G ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 17 A, 81 m
NTD6416ANL ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 19 A, 74 mΩ
NTD6416ANL-1G ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 19 A, 74 mΩ

与NTD6414AN-1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证