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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD60N03T4
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NTD60N03T4

更新时间： 2024-11-21 03:45:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 90K
描述
Power MOSFET 60 Amps, 28 Volts

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NTD60N03T4 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CASE 369AA-01, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.16Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：733 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：28 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A最大漏极电流 (ID)：60 A
最大漏源导通电阻：0.0075 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：75 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD60N03T4 数据手册

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NTD60N03  
Power MOSFET  
60 Amps, 28 Volts  
N-Channel DPAK  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
60 AMPERES  
28 VOLTS  
RDS(on) = 6.1 mW (Typ.)  
Typical Applications  
• Power Supplies  
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
N-Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
G
Drain-to-Source Voltage  
V
28  
Vdc  
Vdc  
Adc  
DSS  
Gate-to-Source Voltage - Continuous  
V
±20  
GS  
4
Drain Current - Continuous @ T = 25°C  
I
D
60*  
A
S
4
Drain Current - Single Pulse (t = 10 ms)  
I
120  
p
DM  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
75  
Watts  
A
D
2
1
Operating and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
- 55 to  
150  
°C  
stg  
3
1
2
3
CASE 369A  
DPAK  
(Bend Lead)  
STYLE 2  
Single Pulse Drain-to-Source Avalanche  
E
AS  
733  
mJ  
CASE 369  
DPAK  
Energy - Starting T = 25°C  
J
(V = 28 Vdc, V = 10 Vdc,  
DD  
GS  
(Straight Lead)  
STYLE 2  
I = 17 Apk, L = 5.0 mH, R = 25 W)  
L
G
Thermal Resistance  
°C/W  
-
Junction-to-Case  
R
R
R
1.65  
67  
120  
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
q
JC  
JA  
JA  
- Junction-to-Ambient (Note 1)  
- Junction-to-Ambient (Note 2)  
q
q
4
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
°C  
Drain  
L
4
Drain  
YWW  
T
4228  
1. When surface mounted to an FR4 board using 1″ pad size,  
2
(Cu Area 1.127 in ).  
YWW  
T
4228  
2. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
2
pad size, (Cu Area 0.412 in ).  
*Chip current capability limited by package.  
1
Gate  
3
2
1
Gate  
3
Source  
Drain  
Source  
2
Drain  
Y
= Year  
WW  
T
= Work Week  
= MOSFET  
4228  
= Device Code  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
75 Units/Rail  
NTD60N03  
DPAK  
DPAK  
NTD60N03T4  
NTD60N03-1  
2500 Tape & Reel  
75 Units/Rail  
DPAK  
Straight Lead  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
March, 2003 - Rev. 5  
NTD60N03/D  
1234567...10

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NTD60N03T4 替代型号

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