5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NTD24N06LG
NTD24N06LG PDF预览

NTD24N06LG

更新时间： 2024-11-18 06:00:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 82K
描述
Power MOSFET 24 Amps, 60 Volts Logic Level, N−Channel DPAK

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTD24N06LG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.17其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：162 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：24 A最大漏极电流 (ID)：24 A
最大漏源导通电阻：0.045 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.36 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：72 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTD24N06LG 数据手册

 浏览型号NTD24N06LG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTD24N06LG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTD24N06LG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTD24N06LG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTD24N06LG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NTD24N06LG的Datasheet PDF文件第7页 
NTD24N06L  
Power MOSFET  
24 Amps, 60 Volts  
Logic Level, N−Channel DPAK  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
24 AMPERES, 60 VOLTS  
Features  
RDS(on) = 0.036 W (Typ)  
• Pb−Free Packages are Available  
N−Channel  
Typical Applications  
D
• Power Supplies  
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
G
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
Drain−to−Source Voltage  
V
60  
60  
DSS  
DGR  
Drain−to−Gate Voltage (R = 10 MW)  
V
GS  
4
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
Drain  
V
V
"15  
"20  
GS  
GS  
− Non−repetitive (t v10 ms)  
p
4
DPAK  
CASE 369C  
(Surface Mount)  
STYLE 2  
Drain Current  
− Continuous @ T = 25°C  
I
I
24  
10  
72  
Adc  
Apk  
A
A
D
D
2
1
− Continuous @ T = 100°C  
3
− Single Pulse (t v10 ms)  
I
p
DM  
2
1
Gate  
3
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
62.5  
0.42  
1.88  
1.36  
W
W/°C  
W
A
D
Drain  
Source  
Derate above 25°C  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2)  
A
A
W
4
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
Drain  
J
stg  
4
DPAK  
CASE 369D  
(Straight Lead)  
STYLE 2  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
162  
mJ  
AS  
Energy − Starting T = 25°C  
J
(V = 50 Vdc, V = 5.0 Vdc,  
DD  
GS  
L = 1.0 mH, I (pk) = 18 A, V = 60 Vdc)  
L
DS  
1
2
Thermal Resistance  
°C/W  
°C  
3
− Junction−to−Case  
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
− Junction−to−Ambient (Note 2)  
R
R
R
2.4  
80  
110  
q
JC  
JA  
JA  
q
q
1
2
3
Gate Drain Source  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8 in from case for 10 seconds  
T
260  
L
Y
= Year  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
WW  
24N6L  
G
= Work Week  
= Device Code  
= Pb−Free Package  
1. When surface mounted to an FR4 board using 0.5 sq. in. pad size.  
2. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
size.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
August, 2005 − Rev. 2  
NTD24N06L/D  
 
12345678

中文翻译

下载PDF

NTD24N06LG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTD24N06LT4G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 24 Amps, 60 Volts Logic Level, N−Channel DPAK
NTD24N06L ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 24 Amps, 60 Volts Logic Level, N−Channel DPAK
STD20NF06T4 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 60V - 0.032OHM - 24A DPAK STripFET TM II POWER MOSFET

与NTD24N06LG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTD24N06LT4 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 24 Amps, 60 Volts Logic Level, N−Channel DPAK
NTD24N06LT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 24 Amps, 60 Volts Logic Level, N−Channel DPAK
NTD24N06LT4G UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
NTD24N06T4 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 60 V, 24 A, N−Channel DPAK
NTD24N06T4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 60 V, 24 A, N−Channel DPAK
NTD25 EDI

获取价格

 		HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS
NTD250N65S3H ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET® III, FAST,
NTD25P03 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
NTD25P03L ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
NTD25P03L_06 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET -25 Amp, -30 Volt

与NTD24N06LG相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证