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STD20NF06T4

更新时间: 2024-11-20 04:01:59
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
13页 343K
描述
N-CHANNEL 60V - 0.032OHM - 24A DPAK STripFET TM II POWER MOSFET

STD20NF06T4 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-252AA
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:12 weeks风险等级:0.84
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):300 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):24 A
最大漏极电流 (ID):24 A最大漏源导通电阻:0.04 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252AA
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):60 W最大脉冲漏极电流 (IDM):96 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STD20NF06T4 数据手册

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STD20NF06  
N-channel 60V - 0.032- 24A - DPAK  
STripFET™ II Power MOSFET  
General features  
Type  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
24A  
STD20NF06  
60V  
<0.040  
Exceptional dv/dt capability  
3
Application oriented characterization  
100% avalanche tested  
1
DPAK  
Description  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronics unique "Single Feature  
Size™" strip-based process. The resulting  
transistor shows extremely high packing density  
for low on-resistance, rugged avalanche  
characteristics and less critical alignment steps  
therefore a remarkable manufacturing  
reproducibility.  
Internal schematic diagram  
Applications  
Switching application  
Order code  
Part number  
Marking  
Package  
Packaging  
STD20NF06T4  
D20NF06  
DPAK  
Tape & reel  
February 2007  
Rev 5  
1/13  
www.st.com  
13  

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