是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-252AA |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 12 weeks | 风险等级: | 0.84 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 300 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 24 A |
最大漏极电流 (ID): | 24 A | 最大漏源导通电阻: | 0.04 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 60 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 96 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NTD20N06LT4G | ONSEMI |
功能相似 |
Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts Logic Level, N | |
NTD24N06LT4G | ONSEMI |
功能相似 |
Power MOSFET 24 Amps, 60 Volts Logic Level, N−Channel DPAK | |
NTD18N06LT4G | ONSEMI |
功能相似 |
Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STD20NF10 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 100V - 0.038 ohm - 25A IPAK/DPAK LO | |
STD20NF10-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-251AA | |
STD20NF10T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA | |
STD20NF20 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 200V - 0.10ヘ -18A- DPAK/TO-220/TO-2 | |
STD20NF20_09 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 200 V, 0.10 Ω, 18 A DPAK, TO-220, T | |
STD21 - APPLICATOR | TE |
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tyco electronics contents | |
STD21-APPLICATOR | TE |
获取价格 |
tyco electronics contents | |
STD21W | TE |
获取价格 |
tyco electronics contents | |
STD21W0 | TE |
获取价格 |
tyco electronics contents | |
STD21W-0 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers |