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NTD26N08L PDF预览

NTD26N08L

更新时间： 2024-11-18 21:15:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 33K
描述
80V, 0.037ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369A-13, DPAK-3

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NTD26N08L 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：CASE 369A-13, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.92外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏源导通电阻：0.037 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD26N08L 数据手册

 浏览型号NTD26N08L的Datasheet PDF文件第2页 
NTD26N08, NTD26N08L  
Product Preview  
80 V Power MOSFET  
ON Semiconductor utilizes its latest MOSFET technology process  
to manufacture 80 V power MOSFET devices to achieve the lowest  
possible on–resistance per silicon area. These 80 V devices are  
designed for Power Management solutions in 42 V Automotive  
system applications. Typical applications include integrated starter  
alternator, electronic power steering, electronic fuel injection,  
catalytic converter heaters and other high power applications made  
possible via an automotive 42 V bus. ON Semiconductor’s latest  
technology offering continues to offer high avalanche energy  
capability and low reverse recovery losses.  
http://onsemi.com  
26 AMPERES  
26N08 Typ R  
= 37 mΩ  
DS(on)  
26N08L Typ R  
= 41 mΩ  
DS(on)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Characteristic  
Symbol  
Min Typ Max Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Drain–to–Source Breakdown  
Voltage  
V
Vdc  
(BR)DSS  
(V  
GS  
= 0 Vdc, I = 250 µAdc)  
80  
–
–
D
Zero Gate Voltage Drain Current  
I
µAdc  
DSS  
(V  
(V  
= 80 Vdc, V  
= 80 Vdc, V  
= 0 Vdc)  
= 0 Vdc,  
–
–
–
–
1.0  
10  
DS  
DS  
GS  
GS  
T =150°C)  
J
Gate–Body Leakage Current  
(V = ±20 Vdc, V = 0 Vdc)  
I
nAdc  
Vdc  
GSS  
–
–
±100  
GS DS  
ON CHARACTERISTICS  
Gate Threshold Voltage  
V
GS(th)  
(V  
DS  
= V , I = 250 µAdc)  
GS D  
NTD26N08  
2.0  
1.0  
3.0  
1.5  
4.0  
2.0  
NTD26N08L  
DPAK  
CASE 369A  
STYLE 2  
Static Drain–to–Source  
On–Resistance  
R
mΩ  
DS(on)  
(I = 13 Adc)  
D
NTD26N08, V = 10 V  
–
–
37  
41  
–
–
GS  
NTD26N08L, V  
= 5 V  
GS  
This document contains information on a product under development. ON Semiconductor  
reserves the right to change or discontinue this product without notice.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000  
1
Publication Order Number:  
October, 2000 – Rev. 0  
NTD26N08/D  
12

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