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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD3055-094T4G
NTD3055-094T4G PDF预览

NTD3055-094T4G

更新时间： 2024-01-30 06:15:20
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 80K
描述
Power MOSFET 12 A, 60 V

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NTD3055-094T4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：0.69雪崩能效等级（Eas）：61 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.094 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTD3055-094T4G 数据手册

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NTD3055−094  
Power MOSFET 12 A, 60 V  
N−Channel DPAK  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
Features  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• Pb−Free Packages are Available  
60 V  
94 mW  
12 A  
• Lower R  
DS(on)  
• Lower V  
• Lower and Tighter V  
DS(on)  
N−Channel  
SD  
• Lower Diode Reverse Recovery Time  
• Lower Reverse Recovery Stored Charge  
D
Typical Applications  
• Power Supplies  
• Converters  
G
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
MARKING  
DIAGRAMS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Drain−to−Source Voltage  
V
V
60  
60  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
DSS  
4
Drain−to−Gate Voltage (R = 10 MW)  
Drain  
GS  
DGR  
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
4
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 2  
V
V
"20  
"30  
GS  
GS  
− Non−Repetitive (t v10 ms)  
p
2
3
1
Drain Current  
− Continuous @ T = 25°C  
I
D
12  
10  
45  
Adc  
Apk  
A
2
− Continuous @ T = 100°C  
I
D
A
1
Gate  
3
Drain  
− Single Pulse (t v10 ms)  
I
DM  
p
Source  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
48  
0.32  
2.1  
W
W/°C  
W
A
D
4
Drain  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
A
4
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2)  
1.5  
W
A
DPAK−3  
CASE 369D  
STYLE 2  
Operating and Storage Temperature Range  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
T , T  
J
−55 to  
+175  
°C  
stg  
E
AS  
61  
mJ  
1
Energy − Starting T = 25°C  
J
2
(V = 25 Vdc, V = 10 Vdc, L = 1.0 mH  
3
DD  
GS  
I
= 11 A, V = 60 Vdc)  
DS  
L(pk)  
1
2
3
Thermal Resistance  
− Junction−to−Case  
Gate Drain Source  
R
R
R
3.13  
71.4  
100  
°C/W  
°C  
q
JC  
JA  
JA  
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
− Junction−to−Ambient (Note 2)  
q
q
55094  
A
Y
W
Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
= Work Week  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 7 of this data sheet.  
1. When surface mounted to an FR4 board using 0.5 sq in. pad size.  
2. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
pad size.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
August, 2004 − Rev. 6  
NTD3055−094/D  
 
1234567...10

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